RF7921TR7 时间：2025/8/16 1:26:50 阅读：10

RF7921TR7 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的高功率 GaN（氮化镓）射频晶体管，广泛应用于无线基础设施、蜂窝基站、广播系统以及其他高功率射频放大器领域。该器件设计用于在 850 MHz 至 940 MHz 频率范围内工作，具备高效率、高增益和良好的线性性能，适用于 LTE、W-CDMA 和其他现代通信标准。RF7921TR7 采用先进的 GaN 技术制造，具备优异的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：GaN 射频功率晶体管
　　频率范围：850 MHz 至 940 MHz
　　输出功率：典型值 120 W
　　增益：25 dB 典型值
　　漏极效率：超过 60%
　　封装形式：表面贴装（SMT），陶瓷封装
　　工作电压：28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　输入阻抗：50 Ω
　　封装尺寸：符合行业标准的 7 引脚表面贴装封装
　　热阻：Rth = 1.2°C/W（典型值）

特性

RF7921TR7 的核心优势在于其采用 GaN 半导体技术，相较于传统的 LDMOS 技术，GaN 提供了更高的功率密度、更高的工作频率能力和更高的效率。该器件在 850 MHz 至 940 MHz 频段内可提供高达 120 W 的连续波（CW）输出功率，并具备出色的线性度，使其非常适合用于多载波通信系统的功率放大器设计。
　　该晶体管具有较高的漏极效率（超过 60%），有助于降低功耗并提高系统整体能效。此外，其良好的热传导设计和高热阻性能（Rth = 1.2°C/W）确保了在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
　　RF7921TR7 采用 7 引脚表面贴装封装（TR7），便于自动化装配和高密度 PCB 布局，适用于各种高功率射频模块和基站放大器应用。该器件还具备良好的输入匹配特性，简化了外部匹配网络的设计，降低了系统复杂度和成本。
　　其工作温度范围宽达 -40°C 至 +150°C，适用于各种严苛环境下的长期稳定运行。此外，RF7921TR7 还具备良好的抗失配能力和抗静电性能，提高了器件在实际应用中的耐用性和可靠性。

应用

RF7921TR7 主要用于移动通信基础设施，如 4G LTE 和 3G W-CDMA 基站的功率放大器模块。此外，该器件也广泛应用于广播发射机、工业射频加热系统、医疗射频设备以及军事通信系统等需要高功率、高效率射频放大的场景。
　　在无线通信系统中，RF7921TR7 常用于多载波功率放大器（MCPA）设计，支持多种调制格式和高数据速率传输。其高线性度和高效率特性使其在现代蜂窝网络中具有重要价值，特别是在需要高吞吐量和低延迟的 5G 前向兼容系统中。
　　此外，该器件也适用于测试设备、频谱分析仪、信号发生器等射频测试与测量仪器，提供稳定可靠的高功率射频输出。