RF7920TR7X 时间：2025/8/16 2:24:53 阅读：5

RF7920TR7X是一款由Renesas Electronics公司推出的高性能射频功率晶体管（RF Power Transistor），属于其广泛使用的RF7900系列中的一员。该器件专为高功率射频放大器应用设计，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段、广播系统、无线基础设施以及军事和航空航天等领域。RF7920TR7X采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具有高效率、高线性度和出色的热稳定性。该晶体管支持高输出功率，适用于多种射频应用，能够在高电压下稳定工作，并具备良好的抗失真能力。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　最大漏极电压（VDS）：65V
　　最大漏极电流（ID）：连续12A，脉冲48A
　　最大耗散功率（PD）：300W
　　频率范围：DC至4GHz
　　输出功率（典型值）：在2.7GHz下为200W
　　增益（Gps）：约20dB
　　漏极效率（Drain Efficiency）：约65%
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装形式：陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　引脚数：4
　　尺寸：约32mm x 12.7mm x 5.3mm
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出

特性

RF7920TR7X是一款基于LDMOS工艺的高功率射频晶体管，具有出色的性能和可靠性。其主要特性包括高输出功率、高效率和良好的线性度，适用于广泛的射频应用。该晶体管能够在65V的高漏极电压下运行，支持连续12A的漏极电流和高达48A的脉冲电流，具备较强的功率处理能力。其最大耗散功率为300W，确保在高功率应用中保持稳定运行。
　　该器件的工作频率范围覆盖DC至4GHz，适合多种通信和工业应用。在2.7GHz频率下，RF7920TR7X的典型输出功率可达200W，增益约为20dB，漏极效率达到65%，显著提高了系统的整体能效。此外，该晶体管具备良好的热稳定性，能够在-65°C至+150°C的宽温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境。
　　封装方面，RF7920TR7X采用陶瓷金属封装，具备良好的散热性能和机械强度，适合高功率应用。该封装还提供良好的阻抗匹配（50Ω输入/输出），有助于减少信号反射，提高系统性能。该晶体管的4个引脚设计便于安装和散热管理，适合用于高功率放大器模块的设计。

应用

RF7920TR7X广泛应用于需要高功率射频放大的系统中。其主要应用领域包括工业、科学和医疗（ISM）频段设备、广播发射机、无线基础设施（如蜂窝基站）、测试设备、军事雷达和通信系统等。该晶体管也常用于高功率射频放大器模块的设计，适用于多载波通信系统、高线性度要求的放大器以及需要高可靠性和高效率的射频系统。此外，由于其宽频率覆盖范围（DC至4GHz），它也适用于多种定制化射频设备和模块的开发。