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RF7920TR13 发布时间 时间:2025/8/16 2:24:05 查看 阅读:11

RF7920TR13是一款由Renesas Electronics生产的射频(RF)功率晶体管,主要用于高频率、高功率应用。该器件基于硅(Si)技术制造,适用于无线通信基础设施、广播设备、工业加热和医疗设备等多种应用领域。RF7920TR13采用先进的MOSFET结构,具备高效率、高线性度和高可靠性的特点,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):65V
  最大漏极电流(ID):连续20A,脉冲40A
  输出功率:在225MHz下可达200W
  频率范围:DC至1GHz
  增益:约20dB
  效率:典型值70%
  封装形式:AB包,表面贴装技术(SMT)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

RF7920TR13是一款专为高功率射频应用设计的MOSFET晶体管,具有多项卓越的技术特性。首先,该器件支持宽频率范围(DC至1GHz),使其适用于多种射频功率放大器设计。无论是在VHF、UHF还是L波段,RF7920TR13都能提供出色的性能表现。
  其次,RF7920TR13具有高输出功率能力,在225MHz频率下可提供高达200W的射频输出功率,非常适合用于高功率通信系统和工业设备。其高增益(约20dB)特性也降低了前级驱动电路的复杂性,提高了整体系统的效率。
  此外,该晶体管具有较高的效率(典型值达70%),可有效降低功耗和发热,延长设备使用寿命。其采用先进的封装技术(AB包),支持表面贴装安装,便于大批量生产与散热管理。
  RF7920TR13还具备良好的线性度和失真性能,使其适用于需要高信号保真的应用,如广播发射机和数字通信系统。其热稳定性和抗过载能力也非常出色,能够在高负荷工作条件下保持长期稳定运行。

应用

RF7920TR13广泛应用于各种射频功率放大器系统中。首先,在无线通信基础设施中,如蜂窝基站、中继器和宽带无线接入系统,RF7920TR13可用于构建高效率、高线性度的射频功放模块,支持GSM、CDMA、LTE等多种通信标准。
  其次,在广播设备中,例如FM广播发射机和电视发射机,该器件可提供稳定的高功率输出,满足长距离信号覆盖的需求。其优异的线性度也有助于减少谐波失真,提高广播信号质量。
  此外,RF7920TR13还适用于工业和医疗设备中的射频能量应用,例如等离子体发生器、感应加热系统和MRI磁共振成像设备中的射频放大器模块。这些应用场景通常需要高功率和高稳定性,RF7920TR13的特性能够很好地满足这些要求。
  最后,该器件也适合用于实验性射频项目和教学设备,帮助工程师和学生构建高性能的射频放大电路,进行技术研究和开发。

替代型号

RF7921TR13, RF7925TR13

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