RF7917TR7是一款高性能的射频(RF)功率晶体管,通常用于无线通信和射频放大应用。该器件采用先进的射频半导体技术,具有高功率输出、高效率和高可靠性的特点。RF7917TR7通常用于基站、无线基础设施、工业和医疗射频设备等应用中,支持多种通信标准,如GSM、CDMA和LTE等。
类型:射频功率晶体管
封装类型:表面贴装(SMT)
最大漏极电流(Id):5.0A
最大工作电压(Vds):65V
最大输出功率:125W
频率范围:800MHz-2.7GHz
增益:约18dB
工作温度范围:-40°C至+150°C
输入阻抗:50Ω
输出阻抗:50Ω
封装尺寸:7mm x 5mm
热阻(Rth):0.35°C/W
效率:约65%
线性度:高
稳定性:高
RF7917TR7是一款采用LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造的射频功率晶体管,具有优异的线性度和稳定性,适用于高要求的无线通信应用。该器件的高输出功率和高效率使其在基站和无线基础设施中具有广泛的用途。RF7917TR7支持宽频率范围,能够在800MHz至2.7GHz之间工作,适应多种通信标准。该器件的封装设计优化了散热性能,确保在高功率下稳定运行。此外,RF7917TR7具有高抗干扰能力和良好的温度稳定性,适用于恶劣的工作环境。其表面贴装封装(SMT)设计简化了PCB布局,提高了组装效率。该器件还具有较低的热阻,有助于延长使用寿命并提高可靠性。
RF7917TR7广泛应用于无线通信基础设施,如基站、中继器和无线接入点。该器件也适用于工业和医疗设备中的射频功率放大器设计。由于其高输出功率和高效率,RF7917TR7常用于GSM、CDMA、LTE和WiMAX等通信标准的射频放大电路。此外,该器件还可用于测试设备、射频信号发生器和广播设备等应用。在工业领域,RF7917TR7可用于射频加热、等离子体生成和工业自动化设备中的射频控制模块。
RF7918TR7, RF7916TR7