频率范围：800 MHz - 1 GHz
　　输出功率：典型值为 10 W (50 dBm)
　　增益：典型值为 14 dB
　　漏极电压：最大为 28 V
　　漏极电流：最大为 500 mA
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic/Metal）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

RF7405 是一款 GaAs FET 功率放大器晶体管，采用了先进的砷化镓技术，具备出色的线性度和高增益特性。其设计使其非常适合用于需要高输出功率和稳定性能的射频应用。
　　该器件在 800 MHz 至 1 GHz 的频率范围内表现出色，具有高达 14 dB 的典型增益，使得其在无线通信系统中可以有效地放大信号。同时，RF7405 的高线性度确保在多载波或宽带应用中保持信号完整性，减少失真和干扰。
　　该晶体管的最大漏极电压为 28 V，最大漏极电流可达 500 mA，具备较高的功率处理能力。其陶瓷金属封装提供了良好的散热性能，有助于维持稳定的工作温度，并提高了器件的长期可靠性。RF7405 的输入驻波比小于 2.5:1，表明其输入匹配良好，有助于减少信号反射，提高系统效率。
　　此外，RF7405 在宽温度范围内（-40°C 至 +85°C）均可稳定工作，适用于各种工业和通信环境。其高可靠性和稳定的性能使其成为无线基站、中继器、测试设备和工业控制系统中的理想选择。

RF7405 主要用于需要高功率放大能力的射频系统中，适用于多种无线通信和工业应用。
　　最常见的应用之一是在无线基站中作为功率放大器使用，用于增强发送信号的强度，从而提高通信质量和覆盖范围。此外，该器件也广泛应用于中继器和远程射频单元（RRU）中，以提升信号传输距离和系统稳定性。
　　由于其良好的线性度和高增益特性，RF7405 也常用于测试设备，如频谱分析仪、信号发生器和功率计，以提供高精度的射频信号放大。在工业设备中，该晶体管可用于射频能量应用，如等离子体生成、射频加热和医疗设备中的射频模块。
　　此外，RF7405 还可用于军事和航空航天领域的通信系统中，满足对高可靠性和宽温度范围的工作需求。

MRF6S20060S, NXP BLF668, RF3107