RF7301TR7 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的射频功率放大器(PA)芯片,主要用于无线通信系统中的射频信号放大。该器件设计用于在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 频率范围内工作,特别适用于 LTE、WiMAX 和其他无线基础设施应用。该芯片采用先进的 GaAs HBT(异质结双极晶体管)技术制造,具有高增益、高线性度和高效率的特点。
工作频率:2.3 GHz 至 2.7 GHz
增益:约 22 dB
输出功率(Pout):典型值 30 dBm(1 W)
电源电压:+5V 至 +7.5V
静态电流:约 120 mA(典型值)
封装类型:28 引脚 TQFN
输入/输出阻抗:50 欧姆
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF7301TR7 是一款高性能射频功率放大器,具有优异的线性度和高增益特性,适用于多种无线通信标准。其采用 GaAs HBT 工艺技术,确保在高频工作下的稳定性和高效率。
该器件在设计上优化了热管理和射频匹配,能够在较宽的温度范围内保持稳定的输出性能。此外,RF7301TR7 提供了良好的输入回波损耗(S11)和输出回波损耗(S22),使得其在不需要额外射频匹配网络的情况下即可实现良好的系统集成。
为了提高系统稳定性,该芯片内置偏置控制电路,允许用户通过外部电压调节静态工作点,从而适应不同的应用需求。这种可调偏置特性也使其能够在不同工作条件下保持最佳的线性度和效率平衡。
RF7301TR7 的封装采用 28 引脚 TQFN 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具备良好的散热性能,有助于在高功率输出下保持较低的工作温度,从而提高器件的可靠性和寿命。
该芯片在无外部功率合成器的情况下即可实现单端输出,简化了系统设计,降低了成本。同时,其出色的邻道泄漏比(ACLR)表现,使其在 LTE 和 WiMAX 系统中表现出色,能够满足严格的通信标准要求。
RF7301TR7 主要用于以下应用领域:
? LTE 基站功率放大器模块(PAM)
? WiMAX 基站射频前端
? 微波通信系统
? 宽带无线接入系统
? 工业和测试设备中的射频信号放大
? 多频段基站和中继设备
? 无线本地环路(WLL)系统
该器件特别适用于需要高线性度和高效率的数字通信系统,能够有效提升系统吞吐量和信号质量。
RF7302TR7, RFPA7301, SKY65117-21, HMC414MSX