类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (ID)：25A
　　漏源击穿电压 (VDS)：600V
　　栅源电压 (VGS)：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：典型值为 0.21Ω（最大值 0.27Ω）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

IXFH25N60 的主要特性之一是其高电压和大电流处理能力，使其适用于高功率开关电路。该器件的导通电阻非常低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有较快的开关速度，有助于减小开关损耗，适用于高频开关电源设计。
　　该器件采用先进的平面技术，具有优异的热稳定性和可靠性，在高负载条件下仍能保持稳定的性能。TO-247 封装不仅提供了良好的散热能力，还便于安装在散热器上，进一步提高散热效率。
　　IXFH25N60 还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态电压条件下保护电路，避免损坏。这种特性使其特别适合用于电机驱动和电感负载控制等应用场景。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。同时，其低栅极电荷（Qg）也有助于降低驱动损耗，提高整体系统的能效。

IXFH25N60 被广泛应用于多种高功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）系统、电机控制器以及工业自动化控制系统等。其高电压和大电流能力使其成为高压电源转换和工业电机控制的理想选择。
　　在开关电源中，该 MOSFET 可作为主开关器件，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。在逆变器应用中，它可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和电动车驱动系统。在电机控制中，IXFH25N60 可用于 PWM 控制电路，实现电机的高效调速与负载管理。
　　由于其优异的热性能和高可靠性，IXFH25N60 还被用于需要高稳定性的工业和通信设备中，如工业伺服驱动器、电焊机、电磁加热设备等。

STP25N60C3, FQA25N60C, FDPF25N60