时间：2025/8/16 6:09:10
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RF7255SR 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频放大应用而设计。该器件基于硅双极型晶体管（Si Bipolar Transistor）技术，适用于工作频率范围在几十兆赫兹到几百兆赫兹之间的应用，如广播、工业加热、射频测试设备和通信系统等。RF7255SR 以其高增益、低失真和出色的热稳定性而闻名，能够在高功率水平下稳定运行，是许多射频放大器设计中的首选组件。
类型：射频功率晶体管
晶体管结构：NPN 型 Si Bipolar Transistor
工作频率范围：DC 至 250 MHz
最大集电极-发射极电压（Vce）：125 V
最大集电极电流（Ic）：15 A
最大耗散功率（Ptot）：300 W
输出功率：典型值 50 W @ 175 MHz
增益：典型值 13 dB @ 175 MHz
封装形式：TO-247（金属封装）
RF7255SR 的主要特性之一是其优异的功率处理能力，能够承受高达 300W 的总耗散功率，使其适用于高功率放大器设计。该器件采用了先进的硅双极型晶体管制造工艺，确保了在高频率下的稳定性能。其宽频率响应范围（DC 至 250 MHz）使其适用于多种射频应用场景，包括广播发射机、工业射频加热设备以及测试仪器。
此外，RF7255SR 具有良好的线性度和低失真特性，这在要求高质量信号放大的应用中尤为重要。其高增益特性（典型值为 13 dB）使得在放大电路中可以减少前级驱动功率的需求，从而提高整体效率。同时，该晶体管的热稳定性良好，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能，这得益于其高效的散热设计和坚固的金属 TO-247 封装。
RF7255SR 还具有较高的可靠性和耐用性，适用于需要长期运行的工业和通信设备。其金属封装不仅增强了散热能力，也提供了良好的电磁屏蔽，减少外部干扰对器件性能的影响。
RF7255SR 主要用于中高功率射频放大器的设计中，典型应用包括AM/FM广播发射机、射频测试和测量设备、医疗射频治疗设备、工业射频加热系统以及各种通信基础设施。由于其良好的线性度和高输出功率能力，它在需要高保真信号放大的应用中表现尤为出色。
在广播系统中，RF7255SR 可用于末级功率放大器，提供稳定的高功率输出以驱动天线。在射频测试设备中，该器件可用于构建可调功率放大器模块，以适应不同测试需求。在工业应用中，它可用于射频能量发生器，为材料加热、焊接或等离子体生成提供稳定的高频功率源。此外，在通信系统中，RF7255SR 可用于构建高效率的发射功率放大器，确保信号在远距离传输中保持良好的质量和稳定性。
NTE233, 2N5179, 2N5190
