GRT0335C1H750GA02D 是一款高性能的贴片式多层陶瓷电容器 (MLCC),采用X7R介质材料制造。该电容器具有出色的温度稳定性和频率特性,适合应用于各种高频和低频电路环境。其封装尺寸为0335英寸,符合AEC-Q200标准,广泛用于汽车电子、通信设备以及消费类电子产品等领域。
这款电容器的设计能够承受恶劣的工作条件,并提供稳定的电气性能,确保在极端温度变化下仍能保持可靠运行。
型号:GRT0335C1H750GA02D
容值:0.75μF
额定电压:16V
封装尺寸:0335英寸
介质材料:X7R
工作温度范围:-55℃至+125℃
公差:±10%
直流偏压特性:典型曲线待查数据手册
ESL:待查数据手册
ESR:待查数据手册
GRT0335C1H750GA02D 的主要特点是其高稳定性和可靠性。它使用了X7R介质材料,这种材料能够在较大的温度范围内(-55℃至+125℃)提供相对恒定的电容量,同时具备较低的损耗角正切值。此外,该电容器还具有较小的体积和轻量化设计,适合在空间受限的应用中使用。
GRT系列的电容器通常具有优良的抗振动和抗冲击能力,这使其非常适合于汽车电子等对环境要求较高的应用场合。另外,由于采用了先进的制造工艺,该型号的失效概率极低,保证了长时间使用的稳定性。
GRT0335C1H750GA02D 主要应用于需要高频滤波、去耦和旁路功能的场景,例如:
- 汽车电子系统中的电源滤波
- 音频放大器中的信号耦合
- 移动通信设备中的射频电路
- 数字电路中的去耦电容
- 工业控制设备中的噪声抑制
它的高温性能和可靠性使得它成为许多关键应用的理想选择。
GRT0335C1H750GA02B
GRT0335C1H750GA02C