时间：2025/5/24 18:46:51
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GA0805A100GXABP31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于电源管理、电机驱动以及各类工业电子设备中。
型号：GA0805A100GXABP31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：94A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ（典型值）
总功耗(Ptot)：175W
结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
GA0805A100GXABP31G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少导通损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频工作环境。
3. 高电流处理能力，适用于大功率应用场景。
4. 具备出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 优秀的抗静电能力，确保了器件在使用过程中的可靠性。
6. 封装坚固耐用，适合表面贴装或传统插装方式。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管。
2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
3. 工业用电机驱动器及控制电路。
4. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。
5. 电动车驱动系统中的功率模块。
6. 各类负载切换和保护电路。
GA0805A100GXABP31G-A, IRF840, FQP13N20
