时间：2025/8/15 14:31:44
阅读：40
RF7228TR是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）推出的高功率双极性射频晶体管，专为高频应用设计。该晶体管采用先进的SiGe（硅锗）技术制造，适用于无线基础设施、蜂窝基站、雷达和工业应用中的射频功率放大器设计。
类型：双极性射频晶体管
工艺：SiGe（硅锗）
频率范围：DC至2.5 GHz
输出功率：高达28 dBm
增益：约18 dB
电源电压：5 V
电流消耗：典型值300 mA
封装类型：TSSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
RF7228TR具备出色的线性度和效率，使其在多载波和宽带应用中表现出色。其高增益和低噪声特性使其成为基站和无线基础设施中的理想选择。此外，该器件具有优异的热稳定性和可靠性，能够在高功率条件下长时间运行而不会性能下降。
该晶体管的SiGe工艺提供了良好的高频性能，同时保持了较低的功耗。其TSSOP封装设计不仅节省空间，还优化了热管理和射频性能，适用于高密度PCB布局。此外，RF7228TR具有良好的互调失真（IMD）性能，有助于提高通信系统的信号质量和数据传输速率。
RF7228TR广泛应用于无线通信系统，包括蜂窝基站、WiMAX、LTE和其他宽带通信设备中的射频功率放大器。此外，它也适用于测试设备、雷达系统和工业控制系统中的射频信号处理和放大任务。
RF7227TR, HMC414, BFQ69
