KTS1680C 过压保护器件具有超低 28mΩ(典型值)导通电阻大电流集成 MOSFET 主动保护低电压电源故障高达 +28VDC 的系统。一个内部钳位保护器件免受高达 100V 的浪涌影响。超过过压阈值的输入电压将导致内部 MOSFET 关闭,防止过电压损坏下游设备。
KTS1680C 过压保护器件具有超低 28mΩ(典型值)导通电阻大电流集成 MOSFET 主动保护低电压电源故障高达 +28VDC 的系统。一个内部钳位保护器件免受高达 100V 的浪涌影响。超过过压阈值的输入电压将导致内部 MOSFET 关闭,防止过电压损坏下游设备。
当 OVLO 输入设置低于外部 OVLO 选择电压,KTS1680C 自动选择内部
固定 OVLO 阈值,预设为 6.3V(典型值)。过压保护阈值可以通过可选的方式进行调整电阻分压器到 4V 和 25V 之间的电压。
该器件具有一个漏极开路输出ACOK在最小电源电压和OVLO 阈值。 KTS1680C 还受到保护过流故障并具有热保护。
KTS1680C 采用 RoHS 和绿色符合12焊球1.16毫米X1.65毫米X0.64毫米WLCSP。
浪涌和 ESD 保护输入
浪涌保护
IEC 61000-4-5:> 100V
ESD保护
IEC 61000-4-2(4 级)
触点:±8kV
气隙:±15kV
人体模型:±2kV
宽输入电压范围
2.3V 至 28V
低静态电流:70μA(典型值)
集成 28mΩ(典型值)N 沟道 MOSFET
快速关断响应时间
100ns
灵活的跳闸点选项
固定 6.3V
形容词 4V 至 25V
带有 typ 的自动启用开关。 15ms
去抖动时间
额外欠压 (UVLO),短路
和热关断保护
开漏电源良好输出
无铅 WLCSP-12 封装
-40°C 至 +85°C 温度范围