电容值：850 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：50 V
　　介质材料：NP0/C0G（温度系数为0 ppm/°C）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　尺寸：根据具体封装规格，通常为0805或1206
　　绝缘电阻：>10,000 MΩ
　　温度系数：0 ppm/°C
　　耗散因数：≤0.15%

XSPC850DEVR50C采用NP0/C0G介质材料，这使其在广泛的温度范围内保持极其稳定的电容值。这种材料具有非常低的温度系数，确保在极端温度变化下电容值的变化可以忽略不计，适用于高精度滤波、定时电路和振荡器电路。此外，该电容器的高绝缘电阻和低耗散因数确保了其在高频应用中的卓越性能，降低了能量损耗和噪声。该器件的额定电压为50V，使其适用于中高压电路设计。表面贴装封装设计不仅提高了安装的便利性，还增强了机械稳定性，减少了焊接点的应力。该电容器符合RoHS标准，适用于环保和高可靠性应用场景。
　　该电容器的高稳定性和低损耗特性使其非常适合用于精密模拟电路、射频（RF）电路、电源管理和信号处理等关键应用。其高可靠性也使其成为航空航天、军事电子、医疗设备和其他对元件性能要求极高的行业的理想选择。

XSPC850DEVR50C陶瓷电容器广泛应用于需要高精度和高稳定性的电子系统中。它常用于射频（RF）放大器、滤波器和振荡器中的谐振电路，确保频率稳定性。此外，它也适用于精密模拟电路中的耦合和去耦应用，确保信号的高保真度。在工业控制和自动化系统中，该电容器可作为定时元件，用于精确控制时间延迟和脉冲宽度。在军事和航空航天领域，它被用于通信设备、导航系统和雷达系统中，确保在极端环境下的稳定运行。医疗设备制造商也常用该器件用于诊断和监测仪器中的关键信号处理电路。

C0805C850J5GACTU, VJ0805Y850JX5BC, CC0805KK850JQ