时间：2025/8/15 20:36:34
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RF7196DTR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的高功率射频（RF）晶体管，采用硅双极型工艺制造。该器件专为高性能无线通信应用而设计，如蜂窝基站、无线基础设施设备和工业控制设备。RF7196DTR13 提供高输出功率、高效率和优异的线性度，适用于多种高频通信系统。
类型：双极型射频晶体管（BJT）
制造商：Qorvo（原RF Micro Devices）
最大频率（fT）：250 MHz
最大集电极电流（IC）：5 A
最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
最大耗散功率（PD）：30 W
封装类型：D-PAK（表面贴装）
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
增益（hFE）：50（最小值）
输入阻抗：50 Ω（典型值）
输出阻抗：50 Ω（典型值）
RF7196DTR13 是一款适用于高频射频放大器设计的高性能晶体管。其硅双极型工艺确保了在高频下的稳定性能和可靠性。该晶体管的最大频率（fT）为250 MHz，适用于各种射频和无线通信系统。器件的集电极-发射极电压（VCE）最大为30 V，集电极电流最大为5 A，使其能够处理较高的功率水平，适用于中高功率放大器设计。
该晶体管的典型应用包括蜂窝基站功率放大器、无线基础设施设备和工业控制系统中的射频模块。RF7196DTR13 的高增益特性（最小hFE为50）使得它在低噪声和高效率的放大电路中表现出色。其D-PAK封装支持表面贴装技术，简化了PCB设计并提高了热管理性能。
此外，该器件的输入和输出阻抗均为50 Ω，便于与射频电路中的其他组件进行匹配，从而减少信号损耗并提高整体系统效率。RF7196DTR13 还具有良好的温度稳定性，在-65°C至+150°C的工作温度范围内保持性能稳定，适用于严苛的工业环境。
RF7196DTR13 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器设计。其典型应用包括蜂窝基站、无线接入点、工业控制系统、射频测试设备和广播设备中的中高功率放大模块。由于其高增益、高效率和良好的线性度，该晶体管在设计中广泛用于GSM、CDMA、WCDMA等通信标准的射频前端放大器。此外，它也适用于各种射频信号处理系统，如数据传输、远程通信和射频识别（RFID）设备。
RF7196DTR13 的替代型号包括 RF7196DTR13-F、RF7196D 和 MRF151G。这些型号在电气特性和封装上具有相似性，可根据具体设计需求进行替换。
