RF7196DTR13-3K 时间：2025/8/22 4:49:55 阅读：12

RF7196DTR13-3K是一款由Renesas Electronics设计的射频（RF）功率晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件采用了先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频段提供高效的功率输出，适用于无线通信基础设施、广播设备、测试仪器和其他高性能射频系统。RF7196DTR13-3K具有良好的热稳定性和高可靠性，适用于在苛刻的工业环境中长时间运行。

参数

类型：LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率：2.3 GHz至2.7 GHz
　　输出功率：典型值为600W（脉冲）
　　增益：典型值为24 dB
　　效率：典型值为65%
　　电源电压：28V
　　封装形式：AB包络跟踪封装
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

RF7196DTR13-3K基于Renesas先进的LDMOS技术制造，具备优异的高频性能和高功率处理能力，适用于2.3 GHz至2.7 GHz频段的应用。该器件在28V的电源电压下工作，能够提供高达600W的脉冲输出功率，并具有24 dB的典型增益和65%的典型效率，非常适合高功率射频放大器的设计。
　　该晶体管采用了AB包络跟踪（Envelope Tracking）封装技术，有助于提高信号放大过程中的能效，并减少热损耗。此外，RF7196DTR13-3K具备良好的线性度和稳定性，能够在复杂的调制信号条件下保持高性能输出，适用于4G LTE、5G NR等现代通信标准中的基站功率放大器应用。
　　在热管理方面，RF7196DTR13-3K设计有高效的散热结构，能够有效降低工作温度，提高器件的可靠性和寿命。该晶体管符合RoHS环保标准，适用于自动化表面贴装工艺，便于集成到各种射频系统中。

应用

RF7196DTR13-3K广泛应用于各种高功率射频系统中，尤其是在无线通信基础设施领域。它适用于4G LTE和5G NR基站的主功率放大器，能够在2.3 GHz至2.7 GHz频段提供高效率、高线性的信号放大。此外，该器件也适用于广播设备，如数字电视和调频广播发射机，用于增强信号覆盖范围和传输质量。
　　由于其高稳定性和优异的线性度，RF7196DTR13-3K也常用于测试和测量设备，如射频信号发生器和频谱分析仪中的高功率放大模块。在工业和医疗射频设备中，该晶体管可用于射频能量传输和加热系统，提供稳定的高功率输出。
　　该器件的高可靠性和热稳定性使其适用于需要长时间运行的工业环境，如雷达系统、卫星通信设备和专用无线网络中的功率放大器模块。