RF7168TR13 时间：2025/9/11 4:17:51 阅读：11

RF7168TR13 是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）制造的高功率射频晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于高功率射频放大器应用，适用于无线基础设施、基站、广播系统和工业设备。RF7168TR13采用了先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，能够在高频下提供高效率和高线性度的性能，使其成为通信系统中理想的功率放大器元件。

参数

频率范围：DC至2.7 GHz
　　最大工作电压：28 V
　　最大输出功率：65 W
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：典型值为65%
　　输入驻波比（VSWR）：<2:1
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：表面贴装（SOT-89）

特性

RF7168TR13的主要特性包括其高性能LDMOS技术，能够支持从DC到2.7 GHz宽频率范围的操作，这使其适用于多种射频功率放大器应用。该器件能够在28 V的高电压下运行，提供高达65 W的输出功率，并且在典型操作条件下具有18 dB的增益和65%以上的效率，确保了高能效和较低的热量产生。此外，其低输入驻波比（VSWR）小于2:1，有助于减少信号反射，提高系统稳定性。
　　该晶体管采用SOT-89表面贴装封装，便于集成到现代射频电路设计中，同时支持高可靠性和长寿命。这种封装还提供了良好的散热性能，有助于保持晶体管在高功率操作下的稳定性能。RF7168TR13的工作温度范围广泛，从-40°C到+150°C，确保其在各种环境条件下都能可靠运行。
　　除了出色的电气性能，该器件还具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适合用于高要求的通信系统，如基站放大器、广播设备以及工业测试仪器。

应用

RF7168TR13广泛应用于无线通信基础设施，如基站功率放大器模块，用于增强信号传输距离和质量。此外，它还适用于广播发射机、射频测试设备、工业加热系统以及各种需要高功率射频放大的场合。由于其优异的线性度和高效率特性，该晶体管在4G LTE和5G前传网络中也得到了广泛应用，支持高数据速率和低延迟通信需求。