类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：DC至1GHz
　　输出功率：典型值为125W（CW）
　　增益：约20dB（典型值）
　　效率：典型值65%
　　工作电压：+28V
　　封装类型：TO-247
　　热阻：Rth(j-c) = 0.35°C/W
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）

RF6509SB采用了先进的LDMOS工艺，具备出色的射频性能和高可靠性。其高功率输出能力使其适用于高功率射频放大器设计，特别在蜂窝通信基站、广播发射机和工业设备中表现优异。
　　该器件具有优异的线性度和失真性能，能够在高功率下保持信号的完整性，适用于需要高保真放大的应用场合。此外，RF6509SB的热阻较低（0.35°C/W），有助于提高器件在高功率工作时的散热效率，延长使用寿命。
　　它的封装形式为TO-247，便于安装和散热管理，同时具备良好的机械稳定性和热稳定性。该器件的工作频率范围较宽，适用于从DC到1GHz范围内的各种射频应用。
　　RF6509SB还具有良好的抗过载能力和输入驻波比稳定性，即使在不理想的负载条件下也能保持稳定运行，减少了因匹配不良引起的损坏风险。

RF6509SB广泛应用于多种射频功率放大场景。在无线通信领域，它常用于构建蜂窝网络基站（如GSM、CDMA、WCDMA等）中的高功率射频放大模块。在广播行业，该晶体管可用于FM和TV发射机的末级功率放大，提供高效率和稳定输出。
　　此外，该器件也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成和材料处理等。测试设备制造商也常采用RF6509SB作为射频信号发生器或功率放大器的核心元件，用于测试和验证射频系统性能。
　　由于其高可靠性和宽频率响应，RF6509SB也常用于军事通信、雷达系统和应急通信设备中。

NXP BLF659、STMicroelectronics LDMOS RF1250、Cree CGH40120