RF6100-1TR7 时间：2025/8/15 12:41:10 阅读：6

RF6100-1TR7 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频（RF）晶体管，专为高频率和高功率应用设计。该器件采用先进的 GaAs（砷化镓）技术，适用于无线基础设施、蜂窝通信和宽带放大器等应用。RF6100-1TR7 封装为 SOT-89，是一种易于集成的表面贴装封装，适用于高可靠性应用。

参数

类型：射频晶体管
　　制造商：Qorvo（原RF Micro Devices）
　　晶体管类型：GaAs FET
　　最大漏极电流（ID）：100 mA
　　最大漏源电压（VDS）：28 V
　　频率范围：2 GHz - 6 GHz
　　输出功率：20 dBm（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：SOT-89

特性

RF6100-1TR7 采用 GaAs 技术，具有出色的高频性能，适用于 2 GHz 至 6 GHz 的广泛频率范围。这使其成为无线通信系统、Wi-Fi 前端模块和射频放大器的理想选择。其高增益特性（典型值 18 dB）和良好的线性度确保了信号传输的稳定性和清晰度。此外，该器件的输出功率为 20 dBm，能够在不牺牲效率的情况下提供足够的信号放大能力。SOT-89 封装不仅节省空间，还具备良好的热性能，确保在高负载条件下稳定运行。该晶体管还具有出色的耐用性和可靠性，适用于恶劣环境下的工业和通信设备。