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RF5626SR 发布时间 时间:2025/8/16 4:24:56 查看 阅读:8

RF5626SR 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的射频(RF)功率晶体管,主要用于高功率射频放大器应用。它基于硅双极型晶体管(Si-BJT)技术,适用于工作频率在VHF/UHF范围的无线通信设备,如广播、基站、工业加热设备和医疗射频设备等。该器件设计用于在高效率和高线性度下运行,适合需要高功率输出和稳定性的应用场景。

参数

类型:NPN双极型晶体管(BJT)
  最大集电极电流(Ic):26A
  最大集电极-发射极电压(Vce):60V
  最大集电极-基极电压(Vcb):75V
  最大功耗(Ptot):250W
  工作频率范围:175MHz - 500MHz
  输出功率(典型值):250W
  增益(Gp):约13dB
  效率(Efficiency):约65%
  封装类型:TO-247AB(3引脚)

特性

RF5626SR 具备出色的高功率处理能力和良好的热稳定性。其NPN结构使其适用于推挽式和A类/B类放大器设计,能够在较高的频率范围内提供稳定的放大性能。该器件的高效率特性使其在高功率输出条件下具备较低的热损耗,从而降低了散热设计的复杂性。此外,RF5626SR具有良好的线性度,适用于需要高保真信号放大的通信系统。其封装采用TO-247AB形式,具备良好的机械稳定性和散热性能,适合在工业级温度范围内运行(-65°C至+150°C)。
  该晶体管在匹配电路设计上也具备一定的灵活性,能够适应不同频率下的应用需求。此外,RF5626SR内置保护机制,能够在一定程度上抵抗瞬态过电压和过热的影响,从而提升系统的可靠性。其高稳定性和可靠性使它成为广播设备、移动通信基站、UHF/VHF发射机和工业射频加热系统中的理想选择。

应用

RF5626SR 主要应用于高功率射频放大器的设计中,适用于广播设备(如调频广播发射机)、无线通信基础设施(如GSM、CDMA基站)、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、测试设备以及业余无线电发射装置等场景。其在UHF和VHF频段的高效功率放大能力使其成为多种专业通信和广播系统中的关键组件。

替代型号

2SC2879、BLF177、2SC1971

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