时间：2025/8/15 7:12:05
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RF5611SR是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）生产的射频功率晶体管，专为高功率放大应用设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，适用于无线基础设施、广播、测试设备和工业应用中的射频功率放大。RF5611SR在225 MHz至520 MHz频率范围内工作，具有高增益、高效率和良好的线性性能。
工作频率范围：225 MHz - 520 MHz
最大输出功率：125 W（典型值）
增益：约26 dB
效率：65%（典型值）
工作电压：28 V
封装类型：陶瓷金属封装（Ceramic/Metal）
RF5611SR采用先进的LDMOS工艺技术，提供高功率密度和出色的热管理能力。该器件在宽频率范围内保持稳定性能，并具有良好的抗失真能力，适用于需要高线性度的通信系统。其高效率特性有助于减少功耗和散热需求，适用于连续波（CW）和脉冲操作模式。此外，RF5611SR具有良好的输入/输出匹配特性，简化了外围电路设计。
该晶体管在高温环境下仍能保持稳定工作，并具备良好的抗负载失配能力，确保系统在异常条件下的可靠性。RF5611SR的封装设计优化了射频接地和散热性能，使其适用于高功率密度的射频放大器设计。
RF5611SR广泛应用于无线基站、广播发射机、射频测试设备、工业加热设备和医疗射频系统。它特别适用于需要高输出功率和高效率的UHF（超高频）和VHF（甚高频）应用，如DVB-T（数字视频广播）发射机、CDMA（码分多址）基站功率放大器以及射频能量应用。
RF5611SR的替代型号包括RF5611S、RF5610SR和NXP的AFT051250H。
