时间：2025/8/15 8:25:39
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RF5602WL33PCK-410 是一款由 Renesas Electronics 生产的射频（RF）功率晶体管，属于 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）系列。该器件专为高性能射频功率放大应用设计，广泛用于无线通信基础设施、雷达系统、测试设备和工业应用中。
类型：GaN HEMT 射频功率晶体管
频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
输出功率：150 W（典型值）
增益：20 dB（典型值）
效率：65% 以上
工作电压：28 V
封装类型：表面贴装（SMD），L33PCK-410
RF5602WL33PCK-410 采用先进的 GaN 技术，提供高功率密度和出色的热性能，适合高要求的射频功率放大应用。其工作频率范围为 2.3 GHz 至 2.7 GHz，能够满足现代无线通信系统对高频率和高带宽的需求。该晶体管在 28 V 电源电压下可提供高达 150 W 的输出功率，同时保持较高的功率附加效率（PAE），通常超过 65%，这有助于减少功耗并提高系统效率。
此外，RF5602WL33PCK-410 具有优异的线性度和稳定性，使其在多载波和宽带应用中表现出色。该器件采用紧凑的表面贴装封装（L33PCK-410），有助于简化 PCB 设计并提高生产效率。其热阻较低，能够有效散热，从而提高器件的可靠性和寿命。
RF5602WL33PCK-410 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器，如 4G/5G 基站、微波通信设备和卫星通信系统。此外，它还广泛应用于雷达系统、医疗成像设备、工业加热设备和射频测试仪器。该器件的高功率密度和高效率特性使其成为需要高性能射频放大的理想选择，尤其是在高频和宽带宽应用中。
NPT2015L-20B, CGH40010F
