类型：MOSFET（双N沟道增强型）
　　封装：TSSOP8
　　漏源电压（VDS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：4.8A（每个通道）
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（典型值，@VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功耗：1.2W
　　存储温度范围：-65°C至150°C

FDW2503N TSSOP8封装的MOSFET具有多项优良特性。首先，其双N沟道MOSFET结构使其在单一封装中提供两个独立的开关，非常适合用于H桥、双向开关和同步整流电路。其次，该器件的低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，FDW2503N具有较高的电流承载能力，每个通道可承受高达4.8A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。该器件的栅极驱动电压范围为±8V，支持4.5V标准逻辑电平驱动，兼容多种控制器和驱动电路。
　　FDW2503N采用TSSOP8封装，具有良好的散热性能和紧凑的体积，适用于空间受限的便携式电子设备。该封装还具有较低的热阻，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在恶劣工作环境下保持稳定运行。

FDW2503N广泛应用于便携式电子产品和电源管理系统。其典型应用包括笔记本电脑和电源适配器中的DC-DC转换器、负载开关和同步整流电路。此外，FDW2503N也常用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，提供高效的双向开关功能。在电机驱动和H桥电路中，该双MOSFET器件能够有效减少外围元件数量，简化电路设计。FDW2503N还可用于工业控制系统、通信设备和消费类电子产品的电源管理模块。

FDW2503N的替代型号包括FDW2504N、FDW2506N以及来自其他厂商的类似双N沟道MOSFET，如AO4406A、Si3442DV等。