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RF5602WB50PCK-410 发布时间 时间:2025/8/15 7:23:45 查看 阅读:7

RF5602WB50PCK-410是一款由Renesas Electronics公司设计的射频功率晶体管,属于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件,专为高功率射频放大器应用而设计。该器件适用于无线基础设施、广播系统、测试设备和其他需要高线性度和高效率的射频功率放大的场合。

参数

类型:LDMOS RF功率晶体管
  频率范围:50MHz - 4GHz
  输出功率:250W(典型值)
  增益:20dB(典型值)
  效率:40%(典型值)
  工作电压:28V
  封装类型:陶瓷金属封装
  输入/输出阻抗:50Ω
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C

特性

RF5602WB50PCK-410的主要特性包括宽频率覆盖范围,适用于多种射频应用。其LDMOS结构提供了高增益和高效率,同时具有良好的热稳定性和可靠性。该器件能够在较高的工作温度下稳定运行,适合在严苛的工业环境中使用。此外,其50Ω的输入和输出阻抗设计使得与射频系统的匹配更加简便,降低了外围电路的设计复杂度。
  该晶体管还具有良好的线性度,能够在需要高信号保真的应用中表现出色,例如在基站、广播发射机和测试仪器中。其陶瓷金属封装不仅提供了良好的散热性能,还能有效屏蔽电磁干扰,确保设备的稳定运行。RF5602WB50PCK-410的设计使其在高功率输出条件下依然保持较低的失真水平,这使得它成为现代通信系统中理想的功率放大器解决方案。
  此外,该器件的高可靠性和长寿命特性,使其在需要长时间连续运行的应用中表现出色。其设计符合工业级标准,能够满足高要求的应用场景,如移动通信基础设施、军事通信设备和高性能测试设备。

应用

RF5602WB50PCK-410广泛应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、广播发射机、射频测试设备、工业和医疗射频设备等。由于其高功率输出和宽频率范围,它也常用于需要高线性度和高效率的射频放大器设计中。

替代型号

NXP的MRF6VP2300HR5, Infineon的BLF881

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