类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：DC至6000 MHz
　　输出功率：典型值120 W（在2250 MHz）
　　增益：约18 dB（在2250 MHz）
　　效率：约65%（在2250 MHz）
　　工作电压：+28 V（典型值）
　　输入回波损耗：典型值14 dB
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　封装类型：陶瓷金属封装
　　最大驻波比（VSWR）：10:1（输入/输出）

RF5516SR具有多个关键特性，使其成为高功率射频应用的理想选择。首先，该器件采用高性能LDMOS技术，提供出色的功率密度和效率，适用于高线性度和高稳定性要求的应用。其次，其宽频率范围允许在多种射频系统中使用，包括蜂窝通信、广播和测试设备。此外，RF5516SR具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定运行，确保长期使用中的稳定性。该器件还具备高抗驻波比（VSWR）能力，能够在失配条件下保持稳定工作，减少对系统稳定性的负面影响。最后，其陶瓷金属封装提供了良好的热管理和机械稳定性，适合高功率射频放大器的设计。

RF5516SR主要应用于需要高功率输出和高可靠性的射频系统中。例如，在通信领域，它可用于蜂窝基站的功率放大器模块，支持2G、3G和4G网络的高功率传输需求。在广播设备中，该晶体管可用于调频（FM）和电视广播发射机的输出放大器。此外，它还可用于工业加热系统和射频测试设备，如信号发生器和功率放大器。由于其优异的热稳定性和高效率，RF5516SR也适用于高功率射频放大器和宽频带放大器的设计。

RF5516SR的替代型号包括RF5515S、RF5525S和MRF6VP2150N。这些型号具有相似的性能特点，可在不同频率和功率需求下作为替代方案使用。