FDN358 时间：2025/12/29 14:23:44 阅读：14

FDN358是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于需要高效能和紧凑设计的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：最大200mA
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为25Ω（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

FDN358具有多项优异的电气和物理特性，确保其在多种应用环境下的稳定性和可靠性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使其在导通状态下功耗更低，从而提高了整体效率。其次，该MOSFET具有较高的开关速度，适合用于高频开关应用，减少了开关损耗。
　　此外，FDN358采用了SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的电路板上安装，同时具备良好的散热性能。该器件的高栅极击穿电压（±20V）增强了其在恶劣工作环境中的耐用性，降低了因电压波动而导致损坏的风险。
　　在热性能方面，FDN358具有良好的热稳定性，能够在较高温度下正常工作，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其适用于各种极端环境条件。

应用

FDN358广泛应用于多个领域，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、便携式电子产品以及汽车电子系统。在电源管理系统中，FDN358可用于高效能的电压调节和功率分配。在便携式设备中，由于其低功耗和小封装，非常适合用于延长电池寿命的设计。
　　在汽车电子中，FDN358可用于控制各种电机、灯光系统和传感器模块的电源开关。此外，它也常用于工业控制系统、自动化设备和消费类电子产品中的功率开关和信号控制电路。