RF5511TR7是一款由Renesas Electronics设计的高性能射频(RF)晶体管,适用于高频、高功率的应用场景。该器件采用先进的异质结双极晶体管(HBT)技术,具有优异的高频响应和热稳定性,广泛用于无线通信、雷达系统、测试设备等领域。
型号: RF5511TR7
晶体管类型: 射频双极晶体管(HBT)
频率范围: 10 MHz - 1 GHz
最大集电极电流: 350 mA
最大集电极-发射极电压: 12 V
输出功率: 1.5 W @ 900 MHz
增益: 16 dB @ 900 MHz
噪声系数: 2.5 dB @ 900 MHz
封装类型: SOT-89
工作温度范围: -40°C 至 +150°C
RF5511TR7是一款专为高频和高功率应用优化的射频晶体管,采用了先进的HBT工艺技术,确保了在GHz范围内的卓越性能。该器件在900 MHz频段下的输出功率可达1.5 W,增益达到16 dB,同时噪声系数低至2.5 dB,使其非常适合用于需要高灵敏度和低噪声的通信系统。
此外,RF5511TR7具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣环境下稳定工作。其SOT-89封装设计便于安装,并提供了良好的散热性能。器件的工作温度范围为-40°C至+150°C,适用于工业级和汽车级应用。
RF5511TR7主要应用于需要高频率和高功率放大的电子系统中。常见的应用包括无线基站、蜂窝通信系统、测试与测量设备、雷达和工业控制系统等。由于其在900 MHz频段的卓越性能,该器件也广泛用于GSM、CDMA、WCDMA等移动通信标准的发射模块中。
RF5512TR7, RF5514TR7, BFP420, BFR93A