时间：2025/8/15 15:03:10
阅读：6
RF5511SB是一款由Renesas Electronics制造的射频（RF）晶体管，属于双极型晶体管（BJT）类别，专门设计用于高频放大应用。该器件采用先进的硅双极工艺制造，具有优异的高频性能和稳定性，广泛应用于通信系统、无线基础设施、雷达设备以及测试仪器等领域。RF5511SB采用小型表面贴装封装（SMD），适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：NPN型射频双极晶体管
最大集电极电流（Ic）：500mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Ptot）：1.5W
工作温度范围：-55°C至+150°C
过渡频率（fT）：250MHz
增益（hFE）：在Ic=100mA时典型值为80
封装类型：SOT-89
RF5511SB具有出色的高频放大性能，适用于从VHF到UHF频段的信号放大。其高增益特性确保了信号在传输过程中保持较高的完整性，降低了噪声干扰。该器件的封装设计优化了热管理，能够在高功率条件下保持稳定的工作状态。RFSB的低失真特性使其非常适合用于模拟和数字通信系统中的线性放大器。该晶体管具有良好的温度稳定性和抗过载能力，能够在恶劣环境中长期可靠运行。RFSB的设计兼容标准的SMT装配流程，降低了制造成本并提高了生产效率。
RF5511SB主要用于无线通信设备中的射频功率放大器、中继器、天线放大器和测试测量仪器。其高频性能使其成为FM广播、电视传输、移动通信和业余无线电设备中的理想选择。该器件也可用于工业控制系统中的高频信号处理模块，提供稳定可靠的信号放大功能。此外，RF5511SB在航空电子设备和军事通信系统中也有广泛应用，满足对高性能和高可靠性的严格要求。
RF5511S, RF5512S, BFQ59
