RF5506PCK-410是一款由Renesas Electronics制造的射频(RF)功率晶体管,采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造。该器件专为高功率、高频应用设计,适用于从UHF到微波频段的范围。RF5506PCK-410采用紧凑型封装,具备高效率、高可靠性和低热阻的特性,使其成为基站、广播设备、雷达系统和其他高性能射频功率放大应用的理想选择。
频率范围:1.8 GHz - 2.4 GHz
输出功率:65 W (典型值)
增益:12 dB (典型值)
效率:55% (典型值)
工作电压:28 V
输入驻波比(VSWR):2.0:1
热阻(Rth):0.5 °C/W
封装类型:表面贴装(Surface Mount)
工作温度范围:-40°C至+85°C
RF5506PCK-410的主要特性包括其高性能的HEMT晶体管技术,能够在高频段提供高效的功率放大。该器件具有低热阻特性,使其能够在高功率运行时保持较低的温度,从而提高系统的可靠性和寿命。此外,RF5506PCK-410具备良好的线性度和稳定的工作特性,适合在多种射频应用中使用。
该晶体管的封装设计优化了散热性能,使其能够适应高功率密度的需求。此外,其输入和输出匹配电路已经内置,简化了外部设计的复杂性,并减少了电路板空间的占用。RF5506PCK-410在宽频率范围内表现出优异的性能,适合用于多频段或多标准的通信系统中。
RF5506PCK-410广泛应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站、微波通信系统、雷达系统、广播设备和测试仪器。该器件在需要高功率和高效率的射频放大器设计中表现出色,特别是在UHF到微波频段的应用中。
MRF6VP20300CL、NPTL9080S、CGH40060P