类型：功率 MOSFET
　　晶体管类型：N沟道 LDMOS
　　最大漏极电流（ID）：125 A
　　最大漏源电压（VDS）：65 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输出功率（CW）：约 250 W（在 2.7 GHz）
　　频率范围：2.5 GHz 至 2.7 GHz
　　封装类型：气密封装（Flanged Package）
　　热阻（Rth）：约 0.35°C/W
　　增益：约 16 dB（典型值）
　　效率：约 65%（典型值）

RF5325SB 具有多个关键特性，使其成为高频和高功率应用的理想选择。首先，该器件采用了先进的 LDMOS 技术，使其能够在高频率下保持优异的性能，并提供高功率增益和效率。此外，RF5325SB 的漏极额定电流高达 125 A，能够在高功率负载下保持稳定运行。
　　该器件的工作电压为 65 V，使其在高电压环境下具备良好的稳定性。RF5325SB 的热阻约为 0.35°C/W，意味着其散热能力较强，可以在高功率应用中有效降低温度上升，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　RF5325SB 支持在 2.5 GHz 到 2.7 GHz 的频率范围内工作，特别适用于 2.6 GHz 附近的 4G LTE、WiMAX 和其他无线通信系统。该器件的输出功率在连续波（CW）模式下可达 250 W，非常适合用于基站和广播设备的高功率放大器设计。
　　该器件的封装采用气密封装设计，具有良好的机械稳定性和环境适应性，能够在恶劣环境下稳定运行。此外，其栅源电压容限为 ±20 V，提供了良好的过压保护能力，避免因栅极电压波动而损坏器件。

RF5325SB 主要应用于无线通信基础设施中的高功率放大器设计。例如，它被广泛用于 4G LTE 基站、WiMAX 系统、广播发射机和工业、科学及医疗（ISM）频段设备中的射频功率放大器模块。由于其高效率和高输出功率特性，该器件也适用于雷达系统、测试设备和高功率无线发射装置。

RF5325SB 的替代型号包括 Freescale（现为 NXP）的 MRFE6VP61K25H 和 STMicroelectronics 的 STD125N4LLH6。