RF5228 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)生产的高性能射频功率放大器(PA)模块,专为蜂窝通信应用设计,尤其适用于 GSM、EDGE、WCDMA 和 LTE 等无线通信标准。该器件采用先进的 InGaP/GaAs HBT 技术,具备高效率、高线性度和高输出功率的特点,适用于基站、无线中继设备和工业通信系统等场景。RF5228 在设计上优化了在 1805 – 1990 MHz 频段内的性能表现,适合用于 3G 和 4G 网络中的射频前端模块。
工作频率范围:1805 - 1990 MHz
输入阻抗:50 Ω
输出阻抗:50 Ω
增益:典型值 33 dB
输出功率(Pout):典型值 28 dBm(在 1% EVM 条件下)
供电电压:3.0 V 至 3.6 V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:24 引脚 QFN
调制方式支持:GSM、EDGE、WCDMA、LTE
RF5228 采用先进的 InGaP/GaAs HBT 技术,具备出色的线性度和效率,能够在较高的输出功率下保持较低的失真,这对于支持高阶调制方式(如 64-QAM 和 256-QAM)至关重要。该器件内置输入匹配网络和输出匹配网络,减少了外围元件的数量,简化了设计流程。此外,RF5228 还集成了偏置控制和功率检测功能,有助于实现动态功率控制和系统优化。其低工作电压(3.0 V 至 3.6 V)设计,使其适用于电池供电设备和便携式通信设备。RF5228 的封装形式为 24 引脚 QFN,具有良好的热管理和高频性能,适用于高密度 PCB 设计。该模块符合 RoHS 标准,适合在工业级温度范围内稳定工作。
RF5228 主要用于无线通信设备中的射频前端部分,特别适用于 3G 和 4G 基站、无线中继器、远程无线单元(RRU)、小型蜂窝基站(Small Cell)、工业自动化通信设备以及高性能移动终端。由于其在 1805 – 1990 MHz 频段内表现出色,因此也广泛应用于 LTE FDD Band 1 和 Band 2 等频段的设备中。
RF5226, RF5229