类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率范围：100 MHz - 2.7 GHz
　　最大漏极电压：28 V
　　最大连续漏极电流：1.5 A
　　输出功率：典型值为50 W（在2.7 GHz）
　　增益：典型值为20 dB
　　效率：典型值为65%
　　输入驻波比（VSWR）：典型值为2.5:1
　　热阻：结到外壳（RthJC）为0.35°C/W
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

RF5122PCK-410具有宽频率覆盖范围，适用于多种射频应用。其高输出功率和高效率特性使其在需要高效能放大的场合非常受欢迎。该晶体管具有良好的线性度和稳定性，适用于多载波通信系统和宽带放大器设计。此外，RF5122PCK-410的LDMOS结构提供了优异的热性能，能够在高功率条件下保持稳定的工作状态，减少了热失控的风险。该器件还具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适合在恶劣环境中使用。
　　封装方面，RF5122PCK-410采用紧凑的表面贴装封装形式，便于在现代射频电路板中安装和使用。这种封装方式不仅节省空间，还提高了器件的可靠性。RF5122PCK-410的输入和输出阻抗通常为50Ω，方便与标准射频系统进行匹配，减少了额外匹配电路的复杂性。
　　该晶体管的设计使其在高频率范围内表现出色，尤其在2.7 GHz左右的频段内，输出功率和增益都保持在一个较高水平。这使得RF5122PCK-410非常适合用于Wi-Fi、WiMAX、蜂窝通信等现代无线通信系统的功率放大应用。

RF5122PCK-410广泛应用于各种射频和微波系统中，包括蜂窝基站、无线局域网（WLAN）设备、广播发射器、测试和测量仪器等。它在需要高功率输出和高效率的场合特别有用，如多载波通信系统中的线性功率放大器设计。此外，该晶体管也可用于工业和医疗射频设备、雷达系统以及卫星通信设备中的功率放大环节。由于其宽频率覆盖范围和良好的热稳定性，RF5122PCK-410在多种高频应用场景中都能表现出色。

NXP的MRFE6VP61K25H、Cree的CGH40050F、STMicroelectronics的STAC2410V