型号：11NM60L-TN3-R
　　制造商：onsemi
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　连续漏极电流（Id）：1.0 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.0 A
　　最大功率耗散（Pd）：25 W
　　导通电阻（Rds(on)）：1100 mΩ（@10V Vgs）
　　栅源阈值电压（Vgs(th)）：3.0 V（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：27 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：580 pF（@25°C, 100V Vds）
　　反向恢复时间（trr）：30 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220-2L
　　安装方式：通孔（Through Hole）

11NM60L-TN3-R采用安森美成熟的超级结MOSFET工艺，实现了在600V高耐压条件下的低导通电阻，有助于降低导通损耗并提升电源系统的整体能效。其Rds(on)典型值为1100mΩ，在同类高压MOSFET中表现出色，特别适用于轻载和中等负载条件下对效率要求较高的应用场景。该器件具有较低的总栅极电荷（Qg = 27nC），这意味着驱动电路所需的能量更少，从而减少了驱动损耗并允许更高的开关频率运行，有利于缩小磁性元件和滤波电容的体积，实现电源的小型化设计。
　　此外，11NM60L-TN3-R具备良好的电容特性，输入电容（Ciss）仅为580pF，输出电容（Coss）也控制在合理范围内，这不仅降低了开关过程中的dv/dt效应，还减少了电磁干扰（EMI）的产生，提升了系统的电磁兼容性。其反向恢复时间（trr）为30ns，体二极管的恢复性能较优，可有效减少在硬开关拓扑中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和额外损耗。
　　该MOSFET的工作结温可达+150°C，具备良好的热稳定性，能够在高温环境下长期稳定运行。器件经过严格的雪崩能量测试，具备一定的抗过压冲击能力，提高了在异常工况下的可靠性。TO-220-2L封装具有良好的散热性能，适合搭配散热片使用，确保在持续高功率工作时保持较低的结温。同时，该器件符合RoHS和无铅（Pb-free）标准，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。卷带包装形式支持SMT自动化装配，提升了大批量生产的效率和良率。

11NM60L-TN3-R广泛应用于各类中低功率的高压开关电源系统中。常见用途包括离线式反激变换器（Flyback Converter），用于消费类电子产品的适配器、充电器和机顶盒电源模块。由于其具备高耐压和低开关损耗特性，特别适用于80W以下的AC-DC电源设计，尤其是在待机电源（Standby Supply）中表现优异，能够满足能源之星（Energy Star）等高能效标准的要求。此外，该器件也常用于LED照明驱动电源，尤其是隔离式恒流驱动方案中，提供稳定的功率开关功能。
　　在工业控制领域，11NM60L-TN3-R可用于小型工业电源、PLC辅助电源或传感器供电模块，其高可靠性和宽温度范围适应工业环境的严苛要求。由于其封装为标准TO-220形式，便于手工焊接和维修，因此也适用于中小批量生产和原型开发。在家电产品如电视、洗衣机、空调的内部辅助电源中，该MOSFET可作为主开关管或同步整流控制器的驱动开关使用。此外，它还可用于电池充电系统、电信设备的板级电源以及分布式电源架构中的中间母线转换器（IBC）。凭借其高性价比和稳定性能，11NM60L-TN3-R成为许多工程师在设计600V级电源时的优选器件之一。

10N60L-TN3-R
　　12N60L-TN3-R
　　FQP11N60L
　　K11N60H
　　STP11NM60FD