RF5117SR 时间：2025/8/16 2:40:54 阅读：9

RF5117SR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的射频（RF）功率晶体管，属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的产品。该器件设计用于高功率射频放大器应用，特别适用于无线基础设施设备，如蜂窝基站、广播发射机以及其他需要高线性度和高效率的射频系统。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　漏极电流（Id）：最大1.1A
　　漏源电压（Vds）：最大65V
　　栅极电压（Vgs）：±15V
　　输出功率（典型值）：在2.7GHz下可达50W
　　频率范围：1.8GHz至3.8GHz
　　增益：约20dB（典型值）
　　效率：60%以上（典型值）
　　封装类型：表面贴装（SMD）陶瓷封装

特性

RF5117SR具有宽频带性能，能够在1.8GHz至3.8GHz的频率范围内稳定工作，适用于多种无线通信标准，如4G LTE、WiMAX和广播系统。其LDMOS技术提供了良好的线性度和高效率，使得该器件在高功率放大应用中表现出色。此外，该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，能够在高功率条件下长时间运行而不会出现明显的性能退化。
　　RF5117SR的输入和输出匹配网络已经内置，减少了外部元件的需求，简化了设计流程。其高增益特性（约20dB）使得在低输入信号下也能实现高输出功率，适用于需要高功率密度的应用场景。同时，该器件具有较高的抗失真能力，能够满足现代通信系统对信号质量的严格要求。
　　在热管理方面，RF5117SR采用了高效的散热设计，确保在高功率工作时能够有效降低温度，延长使用寿命。其表面贴装封装形式适合自动化生产，提高了组装效率。