类型：射频功率晶体管
　　技术：硅双极型（Si Bipolar）
　　最大集电极电流：1.0 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大功率耗散：30 W
　　工作频率范围：800 MHz至1000 MHz
　　增益：约10 dB
　　封装类型：表面贴装（Surface Mount）
　　封装型号：SOT-89
　　热阻（结到壳）：约5°C/W
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

RF5110GPCK-410具有出色的射频性能，能够在高频范围内提供稳定的功率放大能力。其硅双极型技术确保了高线性度和较低的失真，非常适合用于高要求的通信系统中。该器件的最大功率耗散为30W，能够在高负载条件下保持良好的热稳定性。此外，RF5110GPCK-410采用SOT-89表面贴装封装，便于在现代PCB设计中实现自动化装配和高密度布局。其热阻约为5°C/W，有助于在高温环境下保持较低的结温，延长器件的使用寿命。该晶体管的工作频率范围为800MHz至1GHz，适用于多种无线通信标准，如GSM、CDMA和WCDMA等。RF5110GPCK-410还具有较高的增益，约为10dB，能够在系统中实现有效的信号放大，减少对外部放大器的需求。
　　此外，该器件具有良好的热保护功能，能够在过热条件下自动降低输出功率，防止损坏。其宽广的工作温度范围（-40°C至+150°C）使其适用于各种恶劣的环境条件，包括户外基站和工业设备。RF5110GPCK-410的高可靠性和稳定性使其成为通信基础设施、测试设备和射频模块设计中的理想选择。

RF5110GPCK-410广泛应用于无线通信系统中的射频功率放大器，尤其是在蜂窝基站、微波通信设备和测试测量仪器中。它适用于需要高线性度、高效率和高稳定性的射频放大电路。该器件也常用于工业控制、射频加热和无线基础设施设备中的功率放大环节。由于其良好的高频性能和封装设计，它在现代无线通信系统中扮演着关键角色。

RF5110G, RF5110GPCK