时间：2025/12/25 13:37:37
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RF4E080GN是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）产品，属于功率MOSFET类别，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效开关性能的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术制造，旨在提供低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度以及优异的热稳定性，从而满足高效率和小型化设计的需求。RF4E080GN为N沟道增强型MOSFET，适用于中等电压和电流负载的应用场景，在工业控制、消费类电子产品和通信设备中均有广泛应用。
该器件封装形式通常为小型表面贴装封装（如PowerPAK或类似SO-8封装），具有良好的散热性能和空间利用率，适合在紧凑型PCB布局中使用。其设计注重可靠性与鲁棒性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，并具备一定的抗雪崩能力和抗静电放电（ESD）能力，确保在复杂电磁环境中长期可靠运行。此外，RF4E080GN符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品制造。
型号：RF4E080GN
制造商：Renesas Electronics
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40 V
最大连续漏极电流（ID）：17 A
最大脉冲漏极电流（IDM）：65 A
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on) max）：8 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 8.5 A
导通电阻（RDS(on) max）：10 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 8.5 A
阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.3 V
栅极电荷（Qg）：13 nC @ VGS = 10 V
输入电容（Ciss）：570 pF @ VDS = 20 V
反向恢复时间（trr）：25 ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerPAK SO-8
RF4E080GN采用瑞萨电子先进的沟槽栅极技术和场截止结构，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为8mΩ（在VGS=10V时），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效。这对于电池供电设备或对热管理要求严格的系统尤为重要，因为更低的RDS(on)意味着更少的发热和更高的能量利用率。同时，该器件在较低的栅极驱动电压（如4.5V）下仍能保持较低的导通电阻（10mΩ），使其兼容多种逻辑电平驱动电路，包括由微控制器直接驱动的应用场景，增强了设计灵活性。
该MOSFET具备出色的开关特性，其栅极电荷（Qg）低至13nC，有助于减少驱动电路所需的能量并加快开关速度，从而降低开关损耗，提升高频工作的效率。输入电容（Ciss）为570pF，在同类产品中处于较低水平，有利于减小高频应用中的动态损耗。反向恢复时间（trr）为25ns，表明体二极管具有较快的恢复能力，可有效减少在桥式电路或感性负载切换过程中的反向恢复损耗和电压尖峰，提高系统可靠性和EMI性能。
RF4E080GN的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级应用需求。其封装采用PowerPAK SO-8，具备优良的热传导性能，能够通过PCB有效地将热量散发出去，避免局部过热导致的性能下降或失效。该封装还支持自动化贴片生产，适合大规模SMT工艺，提升了制造效率与一致性。此外，器件经过严格的质量测试，具备良好的抗静电放电（ESD）能力和一定的雪崩耐受能力，进一步保障了在实际应用中的可靠性。
RF4E080GN广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器（Buck Converter），其中它作为主开关或整流开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率，特别适用于服务器电源、笔记本电脑电源模块和便携式设备电源管理。在电机驱动电路中，该器件可用于驱动直流电机或步进电机的H桥结构，提供快速响应和低功耗控制。此外，它也常用于负载开关、热插拔控制器、LED驱动电源以及电池管理系统（BMS）中的充放电通路控制。
由于其优异的电气性能和小型化封装，RF4E080GN非常适合空间受限但性能要求高的消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、无线路由器和智能家电等。在工业控制领域，可用于PLC模块、传感器供电单元和工业电源模块中。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子辅助系统（非动力总成部分），例如车载信息娱乐系统电源、车灯控制模块等。总之，任何需要高效率、小尺寸和高可靠性的N沟道MOSFET开关场合，都是RF4E080GN的理想选择。
RJK0463DPB
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IRF7473
FDN360P
