时间：2025/5/8 19:05:28
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RF4E075ATTCR 是一款高性能的射频 (RF) 功率晶体管，专为高频放大应用设计。该器件采用先进的硅锗 (SiGe) 工艺制造，具有出色的增益、线性和效率表现，适用于无线通信、雷达和其他射频系统中的功率放大器模块。其高可靠性设计和卓越的电气性能使其成为需要高输出功率和低失真的应用的理想选择。
RF4E075ATTCR 的封装形式经过优化，以降低寄生效应并增强散热性能，确保在高功率操作下的稳定运行。
最大频率：7.5GHz
输出功率：50W
增益：12dB
工作电压：28V
工作温度范围：-55℃ 至 +105℃
封装形式：TO-263
RF4E075ATTCR 具有以下关键特性：
1. 高频操作能力，适合高达 7.5GHz 的应用。
2. 在宽泛的工作频率范围内提供稳定的增益和功率输出。
3. 采用 TO-263 封装，具备良好的热传导性能，有助于提高设备的可靠性和寿命。
4. 支持高效率模式，可显著降低功耗和热量产生。
5. 线性度出色，适合对信号质量要求较高的场景，如数字通信和测试测量设备。
6. 提供了完善的保护机制，包括过温保护和过流保护功能，以保障器件在极端条件下的安全性。
RF4E075ATTCR 广泛应用于以下领域：
1. 无线通信基站的射频功率放大器。
2. 微波点对点通信系统的功率放大级。
3. 测试与测量设备中的射频信号源和功率放大器。
4. 航空航天及国防领域的雷达和卫星通信系统。
5. 医疗成像设备和工业加热等非通信类射频能量应用。
RF4E075BTTCR
RF4E080ATTCR
RF3P25N
