RF3928BSR 时间：2025/8/15 20:13:14 阅读：6

RF3928BSR 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）生产的射频（RF）功率晶体管，属于 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT）类别。该器件设计用于高频率和高功率应用，如无线基站、雷达系统、测试设备以及工业和科学设备。RF3928BSR 以其在高频段的卓越性能和高功率密度而闻名，适用于要求高效率和可靠性的苛刻环境。

参数

类型：GaN HEMT 功率晶体管
　　最大漏极电流：28 A
　　最大工作电压：65 V
　　输出功率：280 W（典型值，CW 模式）
　　增益：13 dB（典型值）
　　频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　封装类型：表面贴装（SMD），符合 RoHS 标准

特性

RF3928BSR 采用了 GaN 技术，这种技术以其高电子迁移率和高热稳定性而著称，非常适合高频率和高功率应用。其高功率密度特性使其能够在较小的封装中实现较高的输出功率，从而帮助工程师设计更紧凑、更高效的系统。此外，该器件具有出色的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，从而提高系统的可靠性和寿命。
　　该晶体管的工作频率范围为 2.7 GHz 到 3.5 GHz，覆盖了多种无线通信频段，例如 LTE 和 5G 网络中的频段。这使得 RF3928BSR 成为无线基站和通信基础设施中的理想选择。其 13 dB 的典型增益和 280 W 的输出功率确保了在这些应用中能够提供高质量的信号放大。
　　为了确保长期的稳定性和可靠性，RF3928BSR 还具备高耐用性和抗干扰能力。它可以在较宽的温度范围内工作，并且在极端环境下仍能保持性能。这种特性使其适用于雷达系统、测试设备和军事通信等高要求的应用。

应用

RF3928BSR 主要用于需要高功率和高频率的场景。在无线基站中，它可以用作射频功率放大器，为 4G 和 5G 网络提供支持。在雷达系统中，该晶体管可以提供高输出功率和高频率响应，以满足探测和跟踪目标的需求。此外，在测试设备中，RF3928BSR 可用于模拟高功率信号，以验证其他设备的性能。工业和科学设备（如医疗成像系统和高精度测量仪器）也经常使用该晶体管，以实现精确的信号处理和传输。