类型：硅双极型射频功率晶体管
　　频率范围：DC至1GHz
　　最大输出功率：2600W（典型值）
　　工作电压：50V
　　最大集电极电流：50A
　　封装形式：气密封陶瓷封装
　　热阻（Rth）：0.25°C/W（典型值）
　　增益：约20dB（在典型工作频率下）
　　效率：70%以上（典型值）
　　输入阻抗：50Ω（标称）
　　输出阻抗：50Ω（标称）

RF3826SB具备出色的高功率处理能力，能够在高频环境下稳定运行，适用于高功率射频放大器设计。其高效率特性有助于降低功耗并减少散热需求，从而提升系统整体能效。该器件采用气密封陶瓷封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于严苛工业环境。此外，RF3826SB具备优异的线性度，适合用于需要高信号保真度的应用，如广播发射机和通信基站。其输入和输出阻抗匹配设计简化了外围电路的集成，降低了设计复杂度。
　　该器件还具备良好的抗过载能力和高可靠性，适用于连续高功率运行的场景。RF3826SB的设计使其在不同工作条件下均能保持稳定性能，适用于多种调制方式，包括AM、FM、QAM等。同时，它对温度变化的敏感度较低，能够在较宽温度范围内保持良好性能，适合在户外和恶劣环境中使用。
　　在实际应用中，RF3826SB通常用于广播发射机、无线通信基站、工业加热设备、等离子体发生器、射频测试设备等高功率射频系统中。其高性能和稳定性使其成为许多高要求应用的首选功率放大器件。

RF3826SB广泛应用于广播发射机、无线通信基站、射频功率放大器、工业加热设备、等离子体发生器、射频测试设备、雷达系统、高功率射频电源等领域。适用于需要高功率输出和高稳定性的射频应用，尤其适合在高频率环境下工作的系统。

RF3826S、RF3827S、BLF574、MRF6V60250N、NRF574