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IS61WV10248BLL-10TLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 9:19:11 查看 阅读:18

IS61WV10248BLL-10TLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有1Mbit的存储容量,组织形式为128K x 8位。该芯片采用高性能CMOS技术制造,提供快速访问时间,适用于需要高速数据存储和访问的应用场合。IS61WV10248BLL-10TLI-TR采用小型封装,工作温度范围为工业级(-40°C至+85°C),适用于工业控制、网络设备、通信系统等恶劣环境下的应用。

参数

容量:1Mbit(128K x 8)
  访问时间:10ns
  电源电压:2.3V - 3.6V
  工作温度:-40°C至+85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  数据总线宽度:8位
  封装尺寸:54-TSOP
  最大频率:100MHz
  输入/输出类型:异步

特性

IS61WV10248BLL-10TLI-TR芯片具备多项显著的性能特性。其10ns的访问时间确保了高速数据读写能力,能够满足高性能系统的需求。芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,使其适用于多种电源设计环境,并增强了系统的兼容性与稳定性。采用CMOS制造工艺,不仅降低了功耗,还提高了抗干扰能力,确保在复杂电磁环境中稳定运行。此外,该芯片支持异步操作模式,无需时钟同步控制,简化了电路设计并降低了系统复杂度。其54引脚TSOP封装设计节省了PCB空间,适合高密度布局的电子设备。工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于户外设备、工业自动化、通信基站等对温度变化敏感的场景。
  该SRAM芯片具备高可靠性和长使用寿命,适用于需要频繁读写和高速缓存的应用。其异步接口支持与多种微处理器和控制器直接连接,简化了系统集成过程。此外,该芯片具备低待机电流特性,有助于降低系统功耗,在节能设计中表现优异。整体来看,IS61WV10248BLL-10TLI-TR是一款性能稳定、适用范围广泛的SRAM芯片,适用于嵌入式系统、工业控制、通信设备等高性能应用场合。

应用

IS61WV10248BLL-10TLI-TR适用于多种高性能嵌入式系统和工业设备。在通信领域,该芯片可用于网络交换设备、路由器和无线基站的高速缓存存储,确保数据快速读写和低延迟传输。在工业自动化方面,它可应用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和数据采集系统,提供可靠的临时数据存储。此外,该芯片还可用于医疗设备、测试仪器和视频处理设备,满足对数据处理速度和稳定性的高要求。其宽温特性和高可靠性也使其适用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)中的缓存存储单元。

替代型号

CY62148EVLL-45ZE3C, IDT71V416SA10PFGI, IS62WV10248BLL-10TLI-TR

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IS61WV10248BLL-10TLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量8 Mbit
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作电流100 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Reel
  • 端口数量2
  • 工厂包装数量1000
  • 类型RAM