RF3532SR是一款由Renesas Electronics设计的射频(RF)功率晶体管,专为高功率放大器应用而设计。该器件基于硅双极晶体管技术,适用于工作频率范围在HF到UHF之间的射频设备。RF3532SR特别适合用于广播、工业加热、医疗射频设备以及测试和测量仪器中的射频功率放大器部分。其高功率输出能力、良好的热稳定性和可靠的工作性能使其成为许多射频应用中的首选器件。
类型:射频功率晶体管
晶体管类型:NPN双极型
封装类型:TO-247
最大集电极电流(IC):15A
最大集电极-发射极电压(VCEO):65V
最大集电极-基极电压(VCBO):100V
最大发射极-基极电压(VEBO):5V
最大功耗(PD):300W
工作温度范围:-65°C至+150°C
频率范围:DC至500MHz
增益(hFE):≥10(典型值)
输出功率(PO):典型值为300W @ 175MHz
RF3532SR具备一系列高性能特性,使其在高功率射频应用中表现出色。首先,其大功率耗散能力(300W)确保在高功率输出下仍能保持稳定运行。该器件的高击穿电压(VCEO为65V,VCBO为100V)提供了优异的电压耐受性,适用于高压射频电路环境。
其次,RF3532SR的NPN双极晶体管结构提供较高的电流增益(hFE),确保在射频放大过程中具有良好的信号放大能力。此外,该器件的宽频率响应范围(DC至500MHz)使其适用于多种射频应用,包括高频放大器、宽带放大器和窄带功率放大器等。
该晶体管采用TO-247封装,具有良好的散热性能,有助于提高器件在连续高功率工作条件下的稳定性和可靠性。TO-247封装还便于在射频功率放大器模块中进行安装和散热管理。
RF3532SR的工作温度范围较宽(-65°C至+150°C),适用于严苛的工业和商业环境,确保在不同气候条件下的稳定运行。此外,该器件的高可靠性使其成为广播发射机、工业射频加热设备、医疗射频治疗仪器以及射频测试设备中的关键组件。
RF3532SR主要应用于需要高功率射频放大的电子系统中。其典型应用包括广播发射机中的射频功率放大器、工业射频能量应用(如射频加热和等离子体生成)、医疗射频设备(如射频消融仪)以及射频测试和测量设备中的功率放大器模块。
在广播领域,RF3532SR可用于AM/FM广播发射机的末级功率放大器,提供高稳定性和高效率的射频输出。在工业应用中,它可用于射频加热系统,如塑料热封机、射频干燥设备和等离子体发生器,以提供稳定的射频能量输出。
在医疗设备中,RF3532SR可作为射频消融设备的核心功率放大元件,用于微创手术中的组织切割和凝固。此外,在测试设备中,如射频信号发生器或功率放大器模块,该器件可用于提供高功率的射频测试信号,支持通信设备、雷达系统和射频组件的测试验证。
由于其宽频率响应和高可靠性,RF3532SR还可用于军事通信设备、业余无线电发射器以及宽频带射频放大器系统中。
2SC2879, 2SC1971, BLF177, MRFE6VP61K25H