RF3446E 时间：2025/8/7 10:50:04 阅读：33

RF3446E是一款由RF Micro Devices（RFMD）公司生产的高性能射频功率晶体管，专为高功率射频放大应用设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，能够在高频段提供高效率和高线性度，适用于无线基础设施、基站、广播系统和工业设备等应用。RF3446E具有优异的热稳定性和可靠性，能够在苛刻的工作环境下长时间稳定运行。

参数

工作频率：860 MHz - 960 MHz
　　输出功率：600 W（典型值）
　　漏极电压：V_DS = 50 V
　　漏极电流：I_D = 200 mA（最大值）
　　增益：25 dB（典型值）
　　效率：超过65%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　输出驻波比（VSWR）：< 10:1
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：气腔陶瓷封装（Ceramic Flanged Package）

特性

RF3446E是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管，其主要特点包括高输出功率、高效率和高线性度。该器件在860 MHz至960 MHz频段内可提供高达600 W的输出功率，适用于蜂窝通信基站、DVB-T广播放大器以及其他高功率射频系统。其LDMOS结构在提供高增益的同时，还能保持良好的热稳定性，确保在高功率运行时的可靠性。RF3446E的封装设计优化了散热性能，使其能够在高温环境下稳定工作，延长使用寿命。
　　此外，RF3446E具备良好的输入和输出匹配性能，输入驻波比低于2.5:1，输出驻波比低于10:1，有助于减少系统损耗并提高整体效率。该器件还具有较强的抗失配能力，即使在负载变化较大的情况下也能保持稳定运行，减少系统故障的风险。
　　该晶体管的工作温度范围广泛，从-65°C到+150°C，适应各种恶劣的工作环境。RF3446E的气腔陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度，适合在高振动和高冲击环境中使用。