RF3446E是一款由RF Micro Devices(RFMD)公司生产的高性能射频功率晶体管,专为高功率射频放大应用设计。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术制造,能够在高频段提供高效率和高线性度,适用于无线基础设施、基站、广播系统和工业设备等应用。RF3446E具有优异的热稳定性和可靠性,能够在苛刻的工作环境下长时间稳定运行。
工作频率:860 MHz - 960 MHz
输出功率:600 W(典型值)
漏极电压:VDS = 50 V
漏极电流:ID = 200 mA(最大值)
增益:25 dB(典型值)
效率:超过65%
输入驻波比(VSWR):< 2.5:1
输出驻波比(VSWR):< 10:1
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:气腔陶瓷封装(Ceramic Flanged Package)
RF3446E是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管,其主要特点包括高输出功率、高效率和高线性度。该器件在860 MHz至960 MHz频段内可提供高达600 W的输出功率,适用于蜂窝通信基站、DVB-T广播放大器以及其他高功率射频系统。其LDMOS结构在提供高增益的同时,还能保持良好的热稳定性,确保在高功率运行时的可靠性。RF3446E的封装设计优化了散热性能,使其能够在高温环境下稳定工作,延长使用寿命。
此外,RF3446E具备良好的输入和输出匹配性能,输入驻波比低于2.5:1,输出驻波比低于10:1,有助于减少系统损耗并提高整体效率。该器件还具有较强的抗失配能力,即使在负载变化较大的情况下也能保持稳定运行,减少系统故障的风险。
该晶体管的工作温度范围广泛,从-65°C到+150°C,适应各种恶劣的工作环境。RF3446E的气腔陶瓷封装不仅提供了良好的散热性能,还增强了器件的机械强度,适合在高振动和高冲击环境中使用。
RF3446E广泛应用于各种高功率射频放大系统,包括蜂窝通信基站(如GSM、CDMA、WCDMA)、数字视频广播(DVB-T)、高频工业设备、射频加热系统、无线基础设施设备以及军事和航空航天领域的通信系统。该器件的高功率输出和高效率特性使其成为高性能射频放大器的理想选择。
RF3446, RF3446B, RF3447E