时间：2025/8/13 14:35:33
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LDTD113ELT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于电池供电设备、电源管理和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.095Ω @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω @ Vgs=2.5V
功率耗散：2.0W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
LDTD113ELT1G MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了低导通电阻和高效率。该器件具有良好的热稳定性和电流承载能力，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。其小尺寸封装（SOT-23）使其非常适合用于空间受限的便携式电子产品。此外，该MOSFET具备快速开关能力，有助于降低开关损耗，提高系统效率。
这款MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V之间的稳定工作，适用于多种逻辑电平驱动电路。由于其低输入电容和跨导特性，LDTD113ELT1G在高频开关应用中表现出色，可有效减少功率损耗并提高响应速度。
此外，该器件具有较高的耐用性和可靠性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电子系统中的电源管理与负载控制。其封装材料符合RoHS环保标准，无卤素，支持绿色电子制造。
LDTD113ELT1G MOSFET常用于以下领域：电池供电设备中的电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明控制、汽车电子系统（如车载充电器、传感器控制模块）以及各类便携式消费电子产品中的开关电源应用。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDS6680, IRML2802
