RF3376TR13 时间：2025/8/16 2:41:30 阅读：6

RF3376TR13 是一款由 Renesas Electronics（瑞萨电子）制造的射频（RF）功率晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件主要用于高功率射频放大器应用，适用于无线基础设施、基站、工业和医疗射频设备等领域。RF3376TR13 采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高增益、高效率和良好的热稳定性能。封装形式为表面贴装（SMT）的双列直插式封装（Flanged Surface Mount Package），便于在高功率应用中进行散热设计。

参数

类型：N沟道LDMOS FET
　　漏极电流（ID）：最大1.5A
　　漏源电压（VDS）：最大65V
　　栅源电压（VGS）：最大±20V
　　工作频率范围：DC至2.7GHz
　　输出功率：典型250W（在2.6GHz下）
　　增益：典型17dB（在2.6GHz下）
　　效率：典型55%（在2.6GHz下）
　　封装类型：表面贴装，法兰封装
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

RF3376TR13 的核心优势在于其出色的射频性能和高可靠性。该器件采用LDMOS技术，能够在高频率下提供高功率密度和优异的线性度，适用于多载波和宽带应用。其高增益和效率特性可减少对前级驱动功率的需求，从而提高整个系统的能效。此外，该MOSFET具有良好的热导性能，能够有效散热，确保在高功率工作状态下的稳定性与可靠性。器件还具备良好的抗失真能力和高耐用性，使其在严苛的通信环境中也能保持稳定的性能表现。
　　RF3376TR13 的设计使其适用于多种射频功率放大器拓扑结构，如A类、AB类和C类放大器，支持多种通信标准，包括GSM、CDMA、WCDMA、LTE等。其宽泛的栅源电压范围也增加了设计的灵活性，便于实现偏置调节和优化。该器件的封装设计有助于提高热管理效率，适合高功率密度应用场景。