时间：2025/5/7 16:19:32
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IPC100N04S5-2R8 是一款基于硅基技术的 N 沤道 MOSFET 芯片，专为高效能开关和功率管理应用而设计。该产品属于 Infineon 的 CoolMOS 系列，具备低导通电阻、高效率和快速开关性能等特性。其优化的封装和结构使其非常适合于要求苛刻的工业及消费类电子领域。
此器件采用 DPAK 封装形式，适用于表面贴装工艺，并提供了卓越的热性能和电气性能。
型号：IPC100N04S5-2R8
类型：N 沤道 MOSFET
VDS（漏源极电压）：40V
RDS(on)（导通电阻）：2.8mΩ（典型值，@ VGS=10V）
IDS（持续漏极电流）：100A
VGS（栅源电压）：±20V
功耗：36W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：DPAK（TO-252）
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
4. 具备 ESD 保护功能，提高了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 采用标准 DPAK 封装，易于集成到现有设计中。
7. 支持表面贴装技术（SMT），简化了制造流程。
IPC100N04S5-2R8 广泛应用于需要高性能功率开关的场合，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统
5. 电动工具中的功率级
6. 工业自动化设备
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统
8. 汽车电子系统中的负载切换
IPC100N04S5_L095, IRFZ44N, FDP18N04L
