RF3235SQ 时间：2025/8/16 3:27:00 阅读：23

RF3235SQ是一款由Renesas Electronics公司生产的射频（RF）功率晶体管，专为高功率射频应用设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具有高增益、高效率和出色的热稳定性。RF3235SQ广泛应用于无线基础设施设备，如蜂窝基站、广播发射机和其他高功率射频系统。该器件采用小型封装，便于集成到紧凑的电路设计中，并提供可靠的性能。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　工作频率范围：860 MHz至960 MHz
　　输出功率：典型值为35W
　　增益：22 dB（典型值）
　　漏极效率：65%（典型值）
　　工作电压：+28V
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　封装形式：56引脚QFN（Quad Flat No-leads）
　　输入和输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF3235SQ具备多项高性能特性，使其在高功率射频应用中表现出色。首先，其工作频率范围为860 MHz至960 MHz，适用于多种无线通信标准，包括GSM、CDMA和LTE等。该器件的典型输出功率为35W，能够满足高功率需求的应用场景。其增益为22 dB，确保了信号的高效放大，而漏极效率高达65%，有助于降低功耗和热量产生。
　　RF3235SQ的工作电压为+28V，适合常见的射频功率放大器电源设计。其输入和输出阻抗为50Ω，便于与标准射频系统匹配，减少信号反射和损耗。该器件采用56引脚QFN封装，具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局，并提供良好的热管理性能。
　　该晶体管的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在各种环境条件下稳定运行。Renesas Electronics为该器件提供了详细的技术文档和应用支持，包括输入/输出匹配网络的设计指南，以确保最佳性能。RF3235SQ还具有良好的线性度和稳定性，适用于需要高信号完整性的应用。

应用

RF3235SQ主要应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机和工业射频设备。由于其高功率输出和高效率特性，该器件特别适用于需要大功率射频放大的场合。在蜂窝通信系统中，RF3235SQ可用于基站的功率放大器模块（PAM），支持GSM、CDMA、LTE等多种通信标准。此外，该器件还可用于无线局域网（WLAN）、微波通信和测试设备中的射频信号放大。