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RF3232SR 发布时间 时间:2025/8/16 6:26:22 查看 阅读:3

RF3232SR 是一款由 Renesas(瑞萨电子)推出的射频(RF)功率放大器模块,专为无线通信系统中的高功率射频信号放大而设计。该模块采用了先进的 GaN(氮化镓)半导体技术,具有高效率、高可靠性和宽频率范围的特点,适用于各种无线基础设施应用。

参数

工作频率:2.3 GHz - 2.7 GHz
  输出功率:典型值为 32 W(连续波)
  增益:典型值为 14 dB
  效率:典型值为 65%
  电源电压:28 V
  输入回波损耗:> 15 dB
  输出回波损耗:> 12 dB
  封装类型:表面贴装(SMT)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

RF3232SR 具有多个显著的性能优势。首先,其采用的 GaN 技术提供了比传统 LDMOS 技术更高的效率和更高的功率密度,从而减少了散热需求并提高了整体系统效率。其次,该模块在 2.3 GHz 至 2.7 GHz 的频率范围内表现出稳定的性能,适用于 4G LTE、5G 宏基站以及其它宽带无线通信系统。
  此外,RF3232SR 在热管理和可靠性方面表现出色。其高热导率封装材料有助于将热量快速散发,确保器件在高功率操作下的长期稳定性。该模块还具有良好的线性度,适合用于复杂调制格式的信号放大,从而减少对外部线性化电路的依赖。
  模块设计采用了紧凑的表面贴装封装,便于集成到现代无线通信设备中,同时减少了组装成本和空间占用。其宽工作温度范围(-40°C 至 +85°C)确保了在各种环境条件下都能可靠运行。

应用

RF3232SR 主要用于无线通信基础设施,如 4G 和 5G 基站、WiMAX 系统、雷达和测试设备中的射频功率放大。它特别适合需要高输出功率和高效率的远程无线电头端(RRH)和分布式天线系统(DAS)应用。此外,该模块还可用于工业和军事通信系统,提供稳定的射频功率放大解决方案。

替代型号

Cree CGH40025F, NXP MRFE6VP2030H, Infineon BGT60LTR11

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