时间：2025/6/24 10:55:10
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GJM1555C1H110GB01D是一款高性能的射频功率放大器芯片，广泛应用于无线通信系统中的信号放大。该芯片采用先进的半导体工艺制造，能够在高频段提供高增益和高线性度，同时具备低功耗和高效率的特点。它主要针对基站、中继器以及其他射频设备的应用需求设计，适用于多种无线通信标准。
型号：GJM1555C1H110GB01D
工作频率范围：1700 MHz - 2200 MHz
增益：16 dB
输出功率（1dB压缩点）：43 dBm
效率：55 %
电源电压：28 V
静态电流：250 mA
封装形式：陶瓷气密封装
工作温度范围：-40 ℃ 至 +85 ℃
GJM1555C1H110GB01D具有以下显著特点：
1. 高输出功率和高效率，在保证性能的同时降低能耗。
2. 宽带设计支持多个频段，增强了其应用灵活性。
3. 内置匹配网络简化了外部电路设计，降低了系统复杂度。
4. 具备良好的线性度和稳定性，适合多载波和多模式通信环境。
5. 使用陶瓷气密封装，提高了产品的可靠性和抗环境干扰能力。
6. 低热阻设计有助于散热，延长器件寿命。
该芯片适用于多种无线通信场景，包括但不限于：
1. 4G LTE基站及小基站
2. 专网通信设备
3. 微波中继器
4. 点对点和点对多点无线传输系统
5. 车载通信终端
6. 工业物联网设备中的射频模块
GJM1555C1H110GB01D凭借其出色的性能表现，成为上述领域中的理想选择。
GJM1555C1H110GB02D, GJM1555C1H110GB03D
