RF3189SR 时间：2025/8/16 6:46:08 阅读：7

RF3189SR是一款由Renesas Electronics（瑞萨电子）推出的高性能射频功率晶体管，属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的射频功率放大器器件。该芯片主要用于高功率射频应用，如蜂窝基站、广播发射机、工业加热系统和射频测试设备等。RF3189SR以其高增益、高效率和出色的热稳定性而著称，适用于UHF和VHF频段的应用。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　频率范围：50 MHz - 1 GHz
　　漏极电压（VD）：最大65V
　　栅极电压（VG）：最大±20V
　　输出功率：连续波（CW）模式下高达180W
　　增益：约25dB
　　效率：典型值70%
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

RF3189SR具有多种显著的性能特性，首先，其高输出功率能力使其非常适合用于高功率射频放大器设计。在CW模式下，该器件能够提供高达180W的输出功率，确保在各种射频应用中实现稳定的信号放大。
　　其次，RF3189SR的高增益特性（约25dB）显著减少了系统中对多级放大器的需求，从而简化了电路设计并降低了整体成本。此外，该器件的高效率（典型值70%）意味着更少的热量产生，从而提高了系统的可靠性和稳定性。
　　RF3189SR采用了先进的LDMOS工艺，具有良好的热管理能力。其热阻较低，确保在高温环境下仍能稳定工作，且具备出色的长期可靠性。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适合各种恶劣环境条件下的应用。
　　此外，RF3189SR的频率范围覆盖50MHz至1GHz，适用于广泛的射频应用，包括蜂窝通信基站、电视广播发射机、工业射频加热设备和测试测量仪器等。该器件的漏极电压最大为65V，栅极电压范围为±20V，提供了良好的操作灵活性和兼容性。
　　最后，RF3189SR的设计考虑了系统的安全性和耐用性，内置过热和过载保护机制，确保在极端工作条件下仍能保持性能稳定。