类型：双极型射频功率晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：3.5A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：65V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：65V
　　最大功耗（Ptot）：150W
　　工作频率范围：175MHz - 500MHz
　　增益（|S21|2）：约10dB
　　输出功率（Pout）：125W（典型值）
　　封装类型：金属封装（TO-220AB）

RF303Z-12 的核心特性之一是其在 UHF 频段内提供高输出功率能力，能够在 175MHz 至 500MHz 的频率范围内稳定工作。其高增益特性（约 10dB）使得该晶体管在需要高信号放大的应用中表现出色。此外，该器件采用了高热稳定性的设计，确保在高功率工作条件下仍能保持良好的性能，减少了因温度升高导致的性能下降问题。
　　该晶体管还具备良好的线性度和低失真特性，使其适用于需要高保真信号放大的通信系统。其金属封装（TO-220AB）不仅提供了良好的散热性能，还增强了器件的机械强度和可靠性，适用于各种严苛环境下的应用。此外，RF303Z-12 的输入和输出阻抗匹配良好，简化了外部电路的设计并提高了整体系统的效率。

RF303Z-12 主要用于需要高功率输出和高频率操作的射频系统中。它在广播发射机中广泛用于 FM 和 TV 发射器的末级功率放大器部分。在工业领域，该晶体管可用于高频加热设备和等离子体发生器等应用，提供稳定的高频功率输出。
　　在医疗设备中，RF303Z-12 可用于磁共振成像（MRI）系统中的射频功率放大器，确保高质量的图像采集。此外，在通信基础设施中，该器件可用于基站和中继器的射频放大器部分，支持无线通信网络的高效运行。其他应用还包括业余无线电设备、测试仪器以及高功率射频信号源等。

BLF278, 2SC2879, 2SC1969A