时间：2025/8/15 21:15:32
阅读：17
RF2825TR13-5K 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）生产的射频（RF）功率晶体管，采用 GaAs（砷化镓）技术制造。该器件专为高频、高功率应用设计，例如无线基础设施、通信设备和工业控制系统。这款晶体管以高线性度和卓越的输出功率能力著称，适用于多种射频放大器应用。
制造商: Qorvo
类型: RF 功率晶体管
晶体管类型: GaAs FET
频率范围: 800 MHz - 3.5 GHz
输出功率: 50 W（典型值）
增益: 13 dB（典型值）
电源电压: 28 V
工作温度范围: -40°C 至 +85°C
RF2825TR13-5K 的核心特性之一是其宽频率覆盖能力，使其能够适应多种射频应用。该器件采用了 GaAs 技术，在高频条件下表现出优异的性能和高效率。
另一个显著特点是其高输出功率能力，RF2825TR13-5K 可提供高达 50 W 的输出功率，适用于需要高功率放大的系统。此外，该晶体管的增益为 13 dB，确保了良好的信号放大效果。
该器件的工作电压为 28 V，适合高功率通信设备的需求，同时具备良好的热稳定性和耐用性，可在恶劣环境条件下运行。RF2825TR13-5K 还具有低失真和高线性度的特点，适用于要求严格信号质量的通信系统。
封装设计上，该晶体管采用工业标准封装，便于集成到射频电路板中，并支持高可靠性应用。其 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围使其适用于各种户外和工业环境。
RF2825TR13-5K 主要用于无线通信基础设施，例如基站放大器、微波通信系统以及广播设备。它在蜂窝网络（如 GSM、CDMA 和 LTE）中也广泛使用，作为射频功率放大器模块的关键组件。此外，该器件适用于工业和科学仪器，以及需要高线性度和高功率输出的射频测试设备。在军事和航空航天领域，RF2825TR13-5K 也用于雷达系统和通信设备，以确保高可靠性和稳定性。
RF3825, RF5110
